技術參數指標▲1. 半導體激光器1臺,波長: 532 nm，輸出功率：50 mW，工作電流：550 mA ，工作電壓：12V, 模式：TEM00，工作環境：0～60℃，輸出穩定性: <±1% over 2 hours , 光束提升器  1套,提升高度：0-200mm，K9鍍鋁反射鏡，二維調整架調整精度0.35mm ，可變光闌外徑：60mm，可調范圍：2—28mm  2個；2. 偏振分光棱鏡：適用波長532nm ，規格尺寸≥25.4*25.4mm，1塊；3. 摻鐵鈮酸鋰晶體：Fe:LN  1塊；4. 532nm1/2波片 360度可調，最小刻度1度。通光孔徑27mm。 2套；5. 偏振片 360度可調，最小刻度1度。通光孔徑≥27mm。 2套；6. 定時器+快門（工作電壓：12V；工作電流：200mA通光孔徑6mm，手動控制和遙控控制，B門、T門，設置精度：0.1S~999.9S） 2臺；7. 平面反射鏡：材料：K9, 厚度5mm ±0.1，光潔度：Ⅳ級，直徑：≥59mm，表面鍍加強鋁，反射率：可見光區域90%，調整架具有俯仰和旋轉雙方向的角度精密調節，單軸調整量±5°，采用螺距0.5 mm精密螺紋，  2套；8. 針孔濾波器:40倍物鏡，針孔25um，調節精度0.35 mm，1套；9. 準直鏡，材料K9光學玻璃 ，焦距F=150 mm直徑：≥40 mm，光潔度：Ⅳ級， 1 套；10. 平晶，材料：K9玻璃，直徑：≥50 mm光潔度：Ⅲ級，平行度：30″，厚度≥20 mm， 1  塊；11. 三維轉動平臺 直徑：≥50 mm ，精度：0.01 mm，1 套；12. 精密旋轉平臺 360度可調，最小刻度1度，直徑：≥60 mm， 1個；13. 透鏡，材料K9光學玻璃 ，焦距F=150 mm直徑：≥40 mm，光潔度：Ⅳ級2個；14. CCD，成像器件：1/3" SONY Supper HAD CCD，像素：CCIR:500×582，工作電壓：12V， 1 套；15. 9寸液晶顯示器，分辨率800*480，顯示比例：16:9， 1臺；16. 激光功率指示計 3位半數字表頭，量程：200uW，2mW，20mW，200mW，標定波長532nm  2 套；17. 模板   1 個；可調漸變圓形衰減器 材料：K9，外徑：Φ55 mm，內徑：Φ8 mm ，相對密度：0-1.0，2套；18. 干板架  1 個；19. 白屏 100*80 mm   2 個；20. 小孔屏: 小孔直徑：1 mm   1個；21. 卷尺  1個；22. 開關磁性底座  12 個；23. 一維平移磁性底座 精度0.01 mm   2個；24. 普通立柱10個；25. 升降立柱4個。二、主要實驗設備部件半導體激光器、偏振分光棱鏡、摻鐵鈮酸鋰晶體、 定時器+快門、針孔濾波器、準直鏡、平晶、三維轉動平臺、精密旋轉平臺、 CCD成像器件、液晶顯示器、激光功率指示計等。